售賣終止設備 | 尼康精機（上海）有限公司

ArF液浸式掃描光刻機

NSR-S631E

分辨率	≦ 38 nm
NA	1.35
曝光光源	ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	26 mm × 33 mm
重合精度	SMO^※1: ≦ 1.7 nm, MMO^※2: ≦ 2.3 nm
産出	≧ 250 wafers/hour (96 shots), ≧ 270 wafers/hour (96 shots, optional)

※1 Single Machine Overlay：同一台設備之間的套刻精度（例 NSR-S631E#1 to S631E#1）
※2 Mix and Match Overlay：不同設備之間的套刻精度（例 NSR-S631E#1 to S631E#2）

NSR-S630D

分辨率	≦ 38 nm
NA	1.35
曝光光源	ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	26 mm × 33 mm
重合精度	SMO^※1: ≦ 1.7 nm, MMO^※2: ≦ 2.5 nm
産出	≧ 250 wafers/hour (96 shots)

※1 Single Machine Overlay：同一台設備之間的套刻精度（例 NSR-S630D#1 to S630D#1）
※2 Mix and Match Overlay：不同設備之間的套刻精度（例 NSR-S630D#1 to S630D#2）

NSR-S622D

分辨率	≦ 38 nm
NA	1.35
曝光光源	ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	26 mm × 33 mm
重合精度	SMO^※1: ≦ 2 nm, MMO^※2: ≦ 3.5 nm
産出	≧ 200 wafers/hour (125 shots)

※1 Single Machine Overlay：同一台設備之間的套刻精度（例 NSR-S622D#1 to S622D#1）
※2 Mix and Match Overlay：不同設備之間的套刻精度（例 NSR-S622D#1 to S622D#2）

NSR-S621D

分辨率	≦ 38 nm
NA	1.35
曝光光源	ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	26 mm × 33 mm
重合精度	≦ 2 nm
産出	≧ 200 wafers/hour (125 shots)

NSR-S620D

分辨率	≦ 38 nm
NA	1.35
曝光光源	ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	26 × 33 mm
重合精度	≦ 3 nm
産出	≧ 180 wafers/hour (300 mm wafer, 125 shots)

NSR-S610C

分辨率	≦ 45 nm
NA	1.30
曝光光源	ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	26 × 33 mm
重合精度	≦ 6.5 nm
産出	≧ 130 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots)

NSR-S609B

分辨率	≦ 55 nm
NA	1.07
曝光光源	ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	26 × 33 mm
重合精度	≦ 7 nm
産出	≧ 130 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots)

ArF掃描光刻機

NSR-S320F

分辨率	≦ 65 nm
NA	0.92
曝光光源	ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	26 mm × 33 mm
重合精度	≦ 3 nm
産出	≧ 200 wafers/hour (125 shots)

NSR-S310F

分辨率	≦ 65 nm
NA	0.92
曝光光源	ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	26 mm × 33 mm
重合精度	≦ 7 nm
産出	≧ 174 wafers/hour (76 shots)

NSR-S308F

分辨率	≦ 65 nm
NA	0.92
曝光光源	ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	26 × 33 mm
重合精度	≦ 8 nm

NSR-S307E

分辨率	≦ 80 nm
NA	0.85
曝光光源	ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	26 × 33 mm
重合精度	≦ 12 nm

NSR-S306C

分辨率	≦ 100 nm
NA	0.78
曝光光源	ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	25 × 33 mm
重合精度（EGA, \|M\| + 3σ）	≦ 20 nm

NSR-S305B

分辨率	≦ 110 nm
NA	0.68
曝光光源	ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	25 × 33 mm
重合精度（EGA, \|M\| + 3σ）	≦ 30 nm

KrF掃描式/步進式光刻機

NSR-S210D

分辨率	≦ 110 nm
NA	0.82
曝光光源	KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	26 mm × 33 mm
重合精度	≦ 9 nm
産出	≧ 176 wafers/hour (76 shots)

NSR-S208D

分辨率	≦ 110 nm
NA	0.82
曝光光源	KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	26 × 33 mm
重合精度	≦ 10 nm
産出	≧ 147 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots)

NSR-S207D

分辨率	≦ 110 nm
NA	0.82
曝光光源	KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	26 × 33 mm
重合精度	≦ 10 nm

NSR-SF200

分辨率	≦ 150 nm
NA	0.63
曝光光源	KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	26 × 33 mm
重合精度	≦ 28 nm
産出	≧ 110 wafers/hour (300 mm wafer) ≧ 120 wafers/hour (200 mm wafer)

NSR-S206D

分辨率	≦ 110 nm
NA	0.82
曝光光源	KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	25 × 33 mm
重合精度	≦ 20 nm

NSR-S205C

分辨率	≦ 130 nm
NA	0.75
曝光光源	KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	25 × 33 mm
重合精度（EGA, \|M\| + 3σ）	≦ 30 nm

NSR-S204B

分辨率	≦ 150 nm
NA	0.68
曝光光源	KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	25 × 33 mm
重合精度（EGA, \|M\| + 3σ）	≦ 35 nm

NSR-S203B

分辨率	≦ 180 nm
NA	0.68
曝光光源	KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	25 × 33 mm
重合精度（EGA, \|M\| + 3σ）	≦ 40 nm

NSR-S202A

分辨率	≦ 250 nm
NA	0.60
曝光光源	KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	25 × 33 mm
重合精度（EGA, \|M\| + 3σ）	≦ 45 nm

NSR-2205EX14C

分辨率	≦ 250 nm
NA	0.60
曝光光源	KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率	1:5
最大曝光範圍	22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重合精度（EGA, \|M\| + 3σ）	≦ 50 nm
自動對準系統	LSA (standard), FIA (standard), LIA (optional)

NSR-2205EX12B

分辨率	≦ 280 nm
NA	0.55
曝光光源	KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率	1:5
最大曝光範圍	22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重合精度（EGA, \|M\| + 3σ）	≦ 55 nm
自動對準系統	LSA (standard), FIA (standard), LIA (optional)

NSR-S201A

分辨率	≦ 250 nm
NA	0.60
曝光光源	KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	25 × 33 mm
重合精度（EGA, \|M\| + 3σ）	≦ 50 nm

NSR-2205EX10B

分辨率	≦ 320 nm
曝光光源	KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率	1:5
最大曝光範圍	22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重合精度（EGA, \|M\| + 3σ）	≦ 80 nm

I線步進式光刻機

NSR-2205i14E2

分辨率	≦ 350 nm
NA	0.63
曝光光源	i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率	1:5
最大曝光範圍	22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重合精度	≦ 40 nm
産出	≧ 103 wafers/hour (200 mm wafer)

NSR-SF150

分辨率	≦ 280 nm
NA	0.62
曝光光源	i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	26 × 33 mm
重合精度	≦ 25 nm
産出	≧ 180 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots)

NSR-SF140

分辨率	≦ 280 nm
NA	0.62
曝光光源	i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	26 × 33 mm
重合精度	≦ 35 nm
産出	≧ 117 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots)

NSR-SF130

分辨率	≦ 280 nm
NA	0.62
曝光光源	i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	26 × 33 mm
重合精度	≦ 35 nm
産出	≧ 120 wafers/hour (300 mm wafer) ≧ 120 wafers/hour (200 mm wafer)

NSR-SF120

分辨率	≦ 280 nm
NA	0.62
曝光光源	i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	25 × 33 mm
重合精度	≦ 35 nm
産出	≧ 100 wafers/hour (300 mm wafer) ≧ 120 wafers/hour (200 mm wafer)

NSR-SF100

分辨率	≦ 400 nm
NA	0.52
曝光光源	i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率	1:4
最大曝光範圍	25 × 33 mm
重合精度	≦ 45 nm
産出	≧ 80 wafers/hour (300 mm wafer) ≧ 120 wafers/hour (200 mm wafer)

NSR-2205i12D

分辨率	≦ 350 nm
NA	0.63
曝光光源	i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率	1:5
最大曝光範圍	22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm (6-inch reticle), 20.0 × 20.4 mm (5-inch reticle)
重合精度（EGA, \|M\| + 3σ）	≦ 55 nm

NSR-TFHi12

分辨率	≦ 500 nm
NA	0.30 ~ 0.45 (variable)
曝光光源	i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率	1:5
最大曝光範圍	22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重合精度（EGA, \|M\| + 3σ）	≦ 55 nm

NSR-2205i14E

分辨率	≦ 350 nm
NA	0.63
曝光光源	i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率	1:5
最大曝光範圍	22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重合精度（EGA, \|M\| + 3σ）	≦ 50 nm
自動對準系統	LSA (standard), FIA (standard), LIA (optional)

NSR-4425i

分辨率	≦ 700 nm
曝光光源	i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率	1:2.5
最大曝光範圍	44 mm square
重合精度（EGA, \|M\| + 3σ）	≦ 100 nm

NSR-2205i11D

分辨率	≦ 350 nm
NA	0.63
曝光光源	i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率	1:5
最大曝光範圍	22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重合精度（EGA, \|M\| + 3σ）	≦ 70 nm
自動對準系統	LSA (standard), FIA (optional), LIA (optional)

檢測・檢查裝置

自動宏觀檢測裝置 AMI-5600/3500/3000 MarkⅡ