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半導體裝置産品目錄中心

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光刻機

ArF液浸式掃描光刻機 NSR-S625E

PDF: 1MB

支持多重曝光,實現了超高精度與
高産出的ArF液浸式掃描光刻機

确認詳細内容

分辨率 ≦ 38 nm
NA 1.35
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1 : 4
最大曝光範圍 26 mm x 33 mm
重合精度 MMO : ≦ 2.5 nm
産出 ≧ 280 wafers / hour (96 shots)

ArF掃描光刻機 NSR-S333F

如需資料煩請至留言區填寫聯系方式

搭載Streamlign Platform系統
高重合精度與生産效率的ArF掃描光刻機
對應邏輯、存儲器、圖像傳感器等各種器件的微細圖案制造

确認詳細内容

分辨率 ≦ 65 nm
NA 0.92
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1 : 4
最大曝光範圍 26 mm x 33 mm
重合精度 MMO : ≦ 4 nm
産出 ≧ 300 wafers / hour (96 shots)

ArF掃描光刻機 NSR-S322F

PDF: 1MB

搭載Streamlign Platform系統,
高重合精度與生産效率的ArF掃描光刻機

ArF掃描光刻機 NSR-S322F

确認詳細内容

分辨率 ≦ 65 nm
NA 0.92
曝光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1 : 4
最大曝光範圍 26 mm x 33 mm
重合精度 MMO : ≦ 5 nm
産出 ≧ 230 wafers / hour (96 shots)
≧ 250 wafers/hour (96 shots)※1

※1 option選項

KrF掃描光刻機 NSR-S220D

PDF: 1MB

搭載Streamlign Platform系統的KrF掃描光刻機

KrF掃描光刻機 NSR-S220D

确認詳細内容

分辨率 ≦ 110 nm
NA 0.82
曝光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率 1 : 4
最大曝光範圍 26 mm x 33 mm
重合精度 MMO : ≦ 6 nm
産出 ≧ 230 wafers / hour (96 shots)

i線步進式光刻機 NSR-SF155

PDF: 1MB

搭載天鈎構造與高速運轉的晶圓工作台的高重合精度和高産出i線步進式光刻機

i線步進式光刻機 NSR-SF155

确認詳細内容

分辨率 ≦ 280 nm
NA 0.62
曝光光源 i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率 1 : 4
最大曝光範圍 26 mm x 33 mm
重合精度 SMO : ≦ 25 nm
産出 ≧ 200 wafers / hour (300 mm wafer, 76 shots), 也可用于 200 mm wafer

縮小投影倍率5倍 i線步進式光刻機NSR-2205iL1

PDF: 1MB

應對功率半導體、通信用半導體、MEMS等各種器件,替換既有設備的理想選擇。縮小投影倍率5倍 i線步進式光刻機

i線步進式光刻機NSR-2205iL1

确認詳細内容

分辨率 ≦ 350 nm※1
NA 0.45
曝光光源 i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率 1 : 5
最大曝光範圍 22 mm x 22 mm
重合精度 SMO : ≦ 70 nm※1

※1 option選項

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對準站

銳布 Litho Booster

PDF: 1MB

具備高速測量晶圓的栅格扭曲的自動對焦台

銳布 Litho Booster

确認詳細内容

主要特點
  • 對所有曝光前晶圓進行栅格扭曲絕對值的高速且高精度測量
  • 可擴張和進化的平台(不僅可以使用尼康的軟件,還可以使用第三方應用軟件)
  • 使用尼康的光刻機時,可配合浸沒式掃描光刻機及通常掃描光刻機的使用
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檢測・檢查裝置

自動宏觀檢測裝置 AMI-5700

如需資料煩請至留言區填寫聯系方式

可同時實現高産出和卓越檢測靈敏度的自動宏觀檢測裝置

自動宏觀檢測裝置 AMI-5700

确認詳細内容

主要特點
  • 可應用于3D存儲器 / 邏輯 / CMOS圖像傳感器設備
  • 配備圖案邊緣粗糙度(PER)檢測功能和反射鏡傾斜光學系統
  • 檢查産出達到180片以上 / 小時(标準倍率時:散射檢查 + 衍射檢查或正向反射檢查)
  • 計測産出達到25片 / 25分鐘(在不同條件下對晶圓進行3次批量成像,曝光時間最短時)
  • 1Shot内最多可進行75,000個點(26 mm × 33 mm)的計測

晶圓檢測裝置 OPTISTATION-3200/3100/3000

如需資料煩請至留言區填寫聯系方式

配備了尼康倍受贊譽的 CFI60-2 光學器件,可産生高對比度和最小散光的清晰圖像的晶圓檢測裝置

晶圓檢測裝置 OPTISTATION-3200/3100/3000

确認詳細内容

主要特點
  • 可對 300 mm 晶圓進行簡單快速的手動目測檢查
  • 采用符合SEMI标準的安全設計,提供同類産品中最高的系統可靠性
  • 除了宏觀表面檢查外,該系統還标配邊緣檢查和晶圓背面中心。
  • 裝載 200 mm 盒式适配器可以在單個裝置上組合傳輸 200-300 mm 晶圓
  • 作為用于研發缺陷分析的在線檢測系統和分析工具,有助于大幅提高産量
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X射線/CT系統

XT H 225和XT H 320

PDF: 10MB

多用途高分辨率微焦點CT檢測系統,用于小型塑料連接器及鋁鑄件等各種部件的研發和失效分析。

XT H 225和XT H 320

确認詳細内容

最大能量 225 kV / 320 kV
X射線源 最小焦點 1 μm / 3 μm
最大CT掃描尺寸 280 mm / 300 mm
探測器 最大像素矩陣 2880 x 2880 / 2048 x 2048
最大幀速率 30 fps
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影像測量儀

标準機型NEXIV VMZ-S

PDF: 6MB

高精度、高速度、方便易用的微米級坐标測量。

标準機型NEXIV VMZ-S

确認詳細内容

最大XYZ量程 650 x 550 x 200 mm
最小讀數 0.01 μm
最大允許誤差 EUX, MPE EUY, MPE 1.2 + 4 L / 1000 µm
最大允許誤差 EUXY, MPE 2.0 + 4 L / 1000 µm
最大允許誤差 EUZ, MPE 1.2 + 5 L / 1000 µm
最大載重量 50 kg(精度保證: 30 kg)
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光學手動測量

測量顯微鏡

PDF: 13MB

尼康衆多的模塊化單元,讓您在配置符合使用目的的系統時享有更大的靈活性。

測量顯微鏡
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工業顯微鏡

體式變焦顯微鏡

PDF: 17MB

包括正置和倒置兩種類型的多種工業用顯微鏡,既有反射裝用型,也有透反射兩用型,用于對工業樣品的高倍觀察。

體式變焦顯微鏡
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檢測・檢查裝置

晶圓檢測裝置 OPTISTATION-3200/3100/3000

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配備了尼康倍受贊譽的 CFI60-2 光學器件,可産生高對比度和最小散光的清晰圖像的晶圓檢測裝置

晶圓檢測裝置 OPTISTATION-3200/3100/3000

确認詳細内容

主要特點
  • 可對 300 mm 晶圓進行簡單快速的手動目測檢查
  • 采用符合SEMI标準的安全設計,提供同類産品中最高的系統可靠性
  • 除了宏觀表面檢查外,該系統還标配邊緣檢查和晶圓背面中心。
  • 裝載 200 mm 盒式适配器可以在單個裝置上組合傳輸 200-300 mm 晶圓
  • 作為用于研發缺陷分析的在線檢測系統和分析工具,有助于大幅提高産量

圖像傳感器檢查用照明裝置 N-SIS9/8

PDF: 1MB

采用了尼康獨有技術的圖像傳感器檢查用照明裝置。以高照度對寬視場進行均勻照明,并可高速實現照度及RGB等的分光設定的圖像傳感器檢查用照明裝置

圖像傳感器檢查用照明裝置 N-SIS9/8

确認詳細内容

N-SIS9 N-SIS8
類型 測試機頭内置型 探針搭載型
視場尺寸 80 mm × 100 mm 120 mm × 120 mm
照明一緻性 ± 2.0 %以下 ± 1.5 %以下
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後道用光刻機(用于先進封裝)

數字光刻機DSP-100

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面向Panel Level Package的無掩膜版數字曝光裝置分辨率、套刻精度、産量全部到達了高等水平

數字光刻機DSP-100

确認詳細内容

産品名稱 數字光刻機“DSP-100”
分辨率 1.0μm L/S
光源 相當于i線
套刻精度 ≦±0.3μm
支持基闆尺寸 方形基闆:~600x600mm
産出 50片/小時
※以510x515mm基闆為例
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power by 家有三个媳妇陈淑蓉婆媳关系解析 2025-12-17 14:12:15