縮小投影倍率5倍 i線步進式光刻機「NSR-2205iL1」發售

縮小投影倍率5倍 i線步進式光刻機「NSR-2205iL1」

株式會社尼康（社長：Toshikazu Umatate，東京都港區）為應對功率半導體、通信用半導體，MEMS等各種器件，發售與既有設備替換性高的縮小投影倍率5倍 i線步進式光刻機NSR-2205iL1。該設備性價比優異，對晶圓材質的包容性強，能為各種半導體器件的高效率生産做出貢獻。為時隔25年^※1發售的縮小投影倍率為5倍的i線步進式光刻機。

※1 以「NSR- 2205i14E2」從1999年接單起算

發售概況

商品名	縮小投影倍率5倍 i線步進式光刻機NSR-2205iL1
發售時間	2024年夏季左右

開發背景

随着電動汽車和高速通信，各種IT設備的普及，與此相應的半導體的需求也不斷升高。為應對多樣的半導體性能的要求，客戶對曝光設備的要求也越來越複雜和精密。

迄今為止，尼康一直通過翻新二手設備來滿足客戶的的需求。為了緩解客戶既有設備老化以及新i線設備供需緊張的矛盾，尼康基于”客戶伴走活動”所知，推出縮小投影倍率5倍i線步進式光刻機來提供客戶最合适的解決方案。此外，通過擴充對應不同需求的産品選項，尼康會持續地，長期地支持半導體客戶的生産。

主要特點

■ 應對多樣化需求，實現高性價比

多點自動對焦(AF)以實現晶圓測量高精度化，晶圓台Leveling^※2性能增強、Wide DOF（焦點深度範圍擴大）等，使各種半導體制造工藝保持良率水準的同時，實現較高生産性能。此外，晶圓的厚度、大小、翹曲的對應範圍加強後，亦可适用于SiC（碳化矽 ）和GaN（氮化镓）等素材，用途上也得以更加廣泛使用。如此通過應對多樣化需求，實現了高性價比。

※2  在曝光過程中使晶圓台傾斜，以補償曝光圖像與基底表面之間的偏差。

■ 與既有設備的高兼容性

正在使用尼康的i線曝光設備的客戶，所持有的原有資産（mask、recipes等）可以繼續使用，可以輕松替代既有設備。

■ 為長期使用而設計的設備

設備中使用的一部分零件由特定品到市場上流通性高的通用品的替代，與之前相比零件的購入更加簡單，以實現設備的長期使用。

主要性能

分辨率	≦ 350 nm※3
NA	0.45
曝光光源	i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率	1:5
最大曝光範圍	22 mm x 22 mm
重合精度	SMO※4 : ≦ 70 nm※3