ArF液浸式掃描光刻機「NSR-S625E」發售

株式會社尼康（社長：Toshikazu Umatate，東京都港區）推出了ArF液浸式掃描光刻機NSR-S625E。 由于提高了産量和設備運行的穩定性，NSR-S625E實現了尼康半導體光刻設備曆史上最高的生産效率，可為各種半導體器件的高效生産做出貢獻。

發售概況

商品名	ArF液浸式掃描光刻機NSR-S625E
發售時間	2024年2月

開發背景

随着應用的多樣化和半導體需求的增多，客戶對半導體曝光系統的要求也變得越來越複雜和精密。尼康堅持通過”伴走”活動，為客戶提供量身定制的解決方案。為了滿足客戶日益多樣化的需求，尼康決定通過開發ArF液浸式掃描光刻機NSR-S625E而擴大其光刻機産品範圍。
新開發的NSR-S625E是在市場上有着10年銷售史的NSR-S622D後繼機。它提供相比大約1.3倍的産出量，大大改善了運行穩定性，此外還配有iAS*1，助力于各種半導體的高效生産。

尼康将繼續通過不斷提供适合客戶需求的曝光設備，為高附加價值的半導體制造作出貢獻。

※1 inline Alignment Station的縮寫。 在不降低曝光系統産出的情況下，實現高速、高精度的晶圓測量和網格變形校正的系統。

主要性能

Resolution	分辨率	≦38 nm
NA	NA	1.35
Exposure light source	曝光光源	ArF excimer laser (193 nm wavelength)
Reduction ratio	縮小倍率	1:4
Maximum exposure field	最大曝光範圍	26 mm x 33 mm
Overlay	重合精度	SMO※2:≦1.7 nm、MMO※3:≦2.5 nm
Throughput	産出	≧280 wafers/hour (96 shots)