ArF掃描式光刻機“NSR-S333F”開始接受訂單

對應邏輯、存儲器、圖像傳感器等各種器件的微細圖案制造

ArF掃描式光刻機「NSR-S333F」

尼康株式會社（Nikon）将在實現業内最高水平^※１重合精度的同時，發揮高生産效率，于2025年10月開始接受ArF（氟化氩）掃描式光刻機“NSR-S333F”的訂單。該産品結合了最高端機型ArF液浸式光刻機的平台與已經過驗證的傳統機型ArF掃描式光刻機“NSR-S322F”的光學系統，實現了生産效率提升與高精度套刻的兼顧。能夠滿足邏輯芯片、存儲器、圖像傳感器等多種器件的微細圖案制造需求。

^※１　 截至2025年9月25日，尼康根據已發布的ArF掃描式光刻機中進行的調查。

發售概況

商品名	ArF掃描式光刻機「NSR-S333F」
發售時間	2025年10月
上市予定	2026下半年

開發背景

随着對IoT和AI需求的不斷增長，人們對半導體器件微細化和高性能化的要求也在持續提升。尤其是在邏輯、存儲器、圖像傳感器等半導體器件的制造領域，對ArF掃描式光刻機的高生産效率和高重合精度的需求日益增強。

主要特征

１．通過改進平台，使生産效率顯著提升

采用了尼康最高端機型ArF液浸式光刻機的平台，通過提升晶圓台和光罩台的運行速度，實現了每小時300片以上^※2的處理能力。

此外，進一步提升設備運行的穩定性，使生産效率相比以往“NSR-S322F”提升了約1.5倍^※3。在對重合精度要求極高的半導體制造工藝中，該設備在保持高重合精度的同時，展現了卓越的生産效率。

^※2　以300 mm晶圓、96 shots為例

^※3　根據使用條件等可能有所變動

２．實現了業界最高水平的重合精度

沿用了在以往機型ArF掃描式光刻機“NSR-S322F”中已經過驗證的光學系統。通過采用ArF液浸式光刻機的平台，提高了晶圓對準測量、光罩台測量、自動對焦等性能，在ArF掃描式光刻機中實現了業界最高水平的重合精度——MMO^※4 4nm以下。

^※4　Mix and Match Overlay。同一機型之間的重合精度（例 NSR-S333F#1 to NSR-S333F#2）

主要性能

分辨率	≦ 65 nm
NA	0.92
曝光光源	ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率	1 : 4
最大曝光範圍	26 mm x 33 mm
重合精度	MMO : ≦ 4 nm
産出	≧ 300 wafers / hour (96 shots)